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参数目录40407
> IRF8306MTR1PBF MOSFET N CH 30V 23A DFN3X3EP
型号:
IRF8306MTR1PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N CH 30V 23A DFN3X3EP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF8306MTR1PBF PDF
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
23A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2.5 毫欧 @ 23A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.35V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
38nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4110pF @ 15V
功率 - 最大
2.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DirectFET? 等容 MX
供应商设备封装
DIRECTFET? MX
包装
标准包装
其它名称
IRF8306MTR1PBFDKR
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